擴散硅壓力變送器采用進口芯片，經(jīng)過精心的結(jié)構(gòu)設(shè)計，信號處理和組裝，并按照國家標(biāo)準(zhǔn)和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，進行測試而生產(chǎn)出來的新一代測量元件。AO910系列擴散硅壓力變送器 采用的高精度高穩(wěn)定傳感器，配以ASIS高性能放大電路，經(jīng)過數(shù)千次疲勞沖擊，高，低溫循環(huán)老化及精密的數(shù)字溫度補償工藝，再經(jīng)過不銹鋼全封焊(激光焊接)精制而成。

高質(zhì)量的傳感器，嚴(yán)格的校驗工藝，及完善的裝配工藝確保了AO910系列擴散硅壓力變送器的優(yōu)異品質(zhì)。

系列擴散硅壓力變送器工作原理:利用半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機械加工技術(shù)，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導(dǎo)體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當(dāng)受到外力作用時產(chǎn)生微應(yīng)變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化(一對變大一對變小)在激勵電壓信號輸出，經(jīng)過計算機溫度補償、激光調(diào)阻、信號放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測、標(biāo)定等工藝，生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號的壓力變送器。

一般應(yīng)變式傳感器輸出僅為10mv左右，而擴散硅傳感器滿量程輸出為100mv左右，干擾及噪聲等因素影響相對較小，放大電路成本也相應(yīng)降低，分辨率大大提高。零壓力附近無死區(qū)。

擴散硅壓阻式壓力傳感器實現(xiàn)了壓力受感，壓力傳遞力一電轉(zhuǎn)換由同一元件上實現(xiàn)，無中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，無壓力滯后，無機械位移變形，保證了極小的重復(fù)性和遲滯誤差，和良好的線性度，無蠕變、穩(wěn)定、可靠、壽命長。

由于采用了激光調(diào)阻，計算機補償?shù)认冗M技術(shù)和巧妙控制擴散濃度，實現(xiàn)滿量程溫度漂移(靈敏度溫度系數(shù))自補償。克服了半導(dǎo)體晶片本身溫度系數(shù)大的缺陷，使變送器的零位和滿度溫漂達到了較高的水準(zhǔn)，拓寬了使用溫區(qū)。

擴散硅壓力傳感器，變送器具有低電流，低電壓，低功耗的特點，屬于本質(zhì)安全防爆型產(chǎn)品，并已取得了國家安全防爆機構(gòu)頒發(fā)的防爆證書。

產(chǎn)品由于采用了不銹鋼材質(zhì)與特殊防護結(jié)構(gòu)，和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護手段，提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環(huán)境的能力，*適合一般工業(yè)現(xiàn)場測量和控制的需要。

使用對象:液體、氣體或蒸汽

測量范圍

表壓: 0~5KPa~3.5MPa ， 密封表壓:0~7MPa~100MPa

絕壓: 0~20KPa~35MPa ， 負(fù)壓:-0.1MPa~2MPa

輸 出:4~20mADC

電 源:12~36VDC

負(fù)載特性:4~20mADC二線制

溫度范圍:-40℃~+ 85℃

外殼防護:優(yōu)于IP65

防爆類型:隔爆型dⅡCT6; 本安型iaⅡCT6應(yīng)外配安全柵

綜合精度:精度等級:0.1%、0.2%

穩(wěn) 定 性:優(yōu)于±0.25%FS/3年

溫度影響:

-10℃~+ 60℃范圍內(nèi): 變化量小于±0.1%/ 10℃(0.1級)

變化量小于±0.15%/ 10℃(0.2級)

-30℃~ -10℃范圍內(nèi)和60℃~+ 85℃范圍內(nèi): 變化量小于±0.15%/ 10℃(0.1級)

變化量小于±0.20%/ 10℃(0.2級)

振動影響: 在任何方向上振動頻率為20-200Hz時，變化量小于±0.02% BFSL

沖擊影響: 任何方向100G沖擊11ms后，變化量小于±0.02% BFSL

負(fù)載影響: 只要輸入變送器的端子電壓高于12V，就無負(fù)載影響。

位置影響: 安裝位置不影響零點